机译:GE金属氧化物半导体器件上原子层沉积的ALN缓冲层的高k栅极堆叠的Geox界面层的抑制及高k栅极堆的电性能
机译:Ge金属氧化物半导体器件上的原子层沉积AlN缓冲层抑制GeOx界面层并提高高K栅堆叠的电性能
机译:界面层对多层高k栅叠层金属氧化物薄膜晶体管器件性能的影响
机译:具有原位SiOx界面层的高k /金属栅叠层上的低频噪声研究
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:具有原位SiOx界面层的高k /金属栅叠层上的低频噪声研究